Samsung valmistaa massatuotantona alan pienintä DDR5-DRAM-muistia, yhtiö ilmoitti tiistaina.
Uusi 14 nm EUV DDR5 DRAM on vain 14 nanometriä ja siinä on viisi kerrosta äärimmäistä ultraviolettiteknologiaa (EUV). Se voi saavuttaa jopa 7,2 gigabitin nopeuden sekunnissa, mikä on yli kaksi kertaa DDR4:n nopeus. Samsung väittää myös, että sen uusi EUV-tekniikka antaa DDR5 DRAM:lle korkeimman bittitiheyden, lisää samalla tuottavuutta 20 % ja vähentää virrankulutusta 20 %.
EUV:stä on tulossa yhä tärkeämpi DRAMin koon pienentyessä. Se auttaa parantamaan kuviointitarkkuutta, jota tarvitaan paremman suorituskyvyn ja suuremman tuoton saavuttamiseksi, Samsung sanoi.14 nm:n DDR5 DRAM:n äärimmäinen miniatyrisointi ei ollut mahdollista ennen tavanomaisen argonfluoridin (ArF) tuotantomenetelmän käyttöä, ja yritys toivoo, että sen uusi tekniikka auttaa vastaamaan tarpeeseen parantaa suorituskykyä ja kapasiteettia sellaisilla aloilla kuin 5G ja tekoäly.
Jatkossa Samsung ilmoitti haluavansa luoda 24 Gt:n 14 nm:n DRAM-sirun vastatakseen maailmanlaajuisten IT-järjestelmien vaatimuksiin. Se aikoo myös laajentaa 14 nm:n DDR5-valikoimaansa tukemaan datakeskuksia, supertietokoneita ja yrityspalvelinsovelluksia.
